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速度成倍提升!UFS 3.0正式發布:2.9GB/s

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速度成倍提升!UFS 3.0正式發布:2.9GB/s [ x 0 ]

固態技術協會(JEDEC)發布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI,通用閃存存儲) v3.0標准(JESD220DJESD223D),和UFS存儲卡v1.1標准(JESD220-2A)。


簡單來說,UFS 3.0引入了HS-G4規範,單通道帶寬提升到11.6Gbps,是HS-G3UFS 2.1)性能的2倍。


速度成倍提升!UFS 3.0正式發布:2.9GB/s


由於UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫,所以接口帶寬最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s


互聯層設計方面,嚴格遵守MIPI(移動產業處理器接口)的規範協議,其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1,傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8


其它方面,UFS 3.0支持的分區增多(UFS 2.18個),糾錯性能提升,電壓2.5V,支持最新的NAND Flash閃存介質。面向工業領域如汽車自動駕駛,工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。


至於UFSHCI v3.0規範則面向主控廠商參考,用於簡化通行設計。


至於UFS存儲卡v1.1,則實現了對HS-Gear1/2/3的全部兼容,這樣存儲速度就達到最高1.5GB/s


速度成倍提升!UFS 3.0正式發布:2.9GB/s你們現階段更像是平淡的細水長流模式。


另外,三星已經宣布,將在2018年第一季首發推出UFS 3.0接口的產品。由於驍龍845Exynos 9810等尚無證據支持UFS 3.0接口,所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是主控、閃存這類零部件,暫不得而知。
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